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廈門2025年3月12日 /美通社/ -- 國際電工委員會（IEC）正式發布了《聲表面波器件用單晶晶片規范與測量方法》（IEC 62276:2025），首次明確了壓電材料的光學性能標準。三安濾波器晶體團隊以在材料端的研發經驗，在關于透過率（晶片黑化程度）的相關技術要求和相應測量方法中做出重要貢獻。

隨著5G通信和物聯網終端向高頻化、微型化加速發展，聲表面波（SAW）濾波器作為射頻前端的核心組件，承擔著信號選頻的關鍵功能。據Yole Développement預測，到2026年，全球聲表面波濾波器市場規模將達55億美元。智能終端對濾波器數量和性能的需求激增，推動材料技術向更高一致性、更優光學性能演進。

2025年3月7日，國際電工委員會（IEC）正式發布《聲表面波器件用單晶晶片規范與測量方法》（IEC 62276:2025），首次將壓電材料的光學性能（透過率/黑化程度）納入國際標準。該標準由中國企業主導修訂，標志著我國在高端壓電材料領域實現從技術跟隨到規則制定的跨越。

泉州三安集成（原晶安光電團隊）依托三安光電二十余年的化合物半導體研發制造經驗，持續投入LN/LT壓電材料制備工藝的研發，逐步掌握成熟的晶片黑化工藝。團隊自2016年深度參與該項目的標準論證，在透過率的相關技術要求和相應測量方法與項目其他成員協作，討論及驗證試驗，提出了多項技術性修改內容，納入了新標準中主要的修訂內容之一。

三安擁有國內少有的濾波器垂直整合產業鏈，構建射頻前端芯片整合解決方案制造平臺，持續加強工藝和材料的研發投入，積極投身行業標準的制定和提升，促進行業協同發展和產品質量標準提升，為全球頭部射頻設計公司提供可靠的芯片制造服務。